强茂(PANJIT)PJA3471、美微科(MCC)SI01P10国产化替代LMTL1P10
上海雷卯生产的PMOSLMTL1P10可以替代pin to pin强茂(PANJIT)的PJA3471和美微科(MCC)的SI01P10。已经有很多客户选用LMTL1P10替代,客户可以获得更好的价格和更快的交期。特别是在一些受空间收下限的小电子设备很受青睐。
三款MOS参数对比如下:
Parameter(参数) |
强茂 PANJIT |
美微科 MCC |
雷卯 Leiditech |
PartNumber |
PJA3471 |
SI01P10 |
LMTL1P10 |
Package |
SOT-23 |
SOT-23 |
SOT-23 |
FET type N or P |
P |
P |
P |
Drain−to−Source Voltage Vdss |
-100 |
-100 |
-100 |
Drain Current 25℃Id(A) |
-0.9 |
-1 |
-0.9 |
Power Dissipation Pd(W) |
1.25 |
0.77 |
1.0 |
Gate−to−Source Voltage VGS(V) |
20 |
20 |
20 |
Gate Threshold Voltage VGS(th) |
-1~-2.5 |
-1~-3.0 |
-1~-2.5 |
Rds(on)(10V) (mΩ)Typ |
500 |
560 |
520 |
Rds(on)(10V)(mΩ)Max |
650 |
800 |
650 |
Rds(on)(4.5V)(mΩ)Typ |
560 |
620 |
560 |
Rds(on)(4.5V)(mΩ)Max |
700 |
1000 |
700 |
Total Gate Charge (Qg) |
8 |
7.8 |
4.5 |
Turn−On Delay Time td(on) |
3.7 |
6.1 |
13.6 |
Turn−Off Delay Time td(off) |
21 |
12 |
34 |
Input Capacitance Ciss(PF) |
448 |
342 |
553 |
Thermal Resistance Junction-Ambient RθJA (℃/W) |
100 |
~ |
125 |
雷卯LMTL1P10是一款高性价比、通用性强的P沟道MOSFET。其100V耐压和SOT-23小封装的组合,使其在需要安全、紧凑地控制电源通断的各种场景中成为优选方案,尤其适合于消费电子、办公设备、汽车电子及工业控制领域的电源管理设计。
一
LMTL1P10特性
VDS = -100VID=-0.9 A
RDS(ON), VGS@-10V, ID@-0.8A<650mΩ
RDS(ON), VGS@-4.5V,ID@-0.4A<700mΩ
增强型沟槽工艺
SOT-23 —体积小巧(约3mm x 3mm),节省电路板空间,适合高密度贴装。
二
LMTL1P10应用场景
核心应用场景:高端电源开关/负载开关
高端电源开关/负载开关将MOSFET串联在电源(Vcc)与负载之间,使用MCU GPIO通过简单电路(如一个NPN三极管)或一个小型N-MOS来控制其栅极电平,实现“一键断电”。
优点:可彻底切断外围模块(如传感器、通信模块、显示屏背光)的供电,实现零待机功耗,是电池供电设备节能的关键设计。
适用设备:智能家居设备、便携式仪器、物联网终端。

汽车电子辅助电路
用于车载设备(导航/记录仪)的电源切换,100V耐压可应对汽车电源瞬态电压,SOT-23封装满足小型化需求。
办公设备与工业控制
利用其100V耐压和近1A的电流能力,非常适合驱动打印机、扫描仪、自动化设备中的小型直流电机、散热风扇、电磁阀、指示灯等负载。
PWM控制与简易DC-DC电路
由于其开关速度较快且导通电阻低,可用于低频PWM调光、调速等场景。也可作为简易开关电源或线性稳压器中的功率开关管,适用于非隔离、小功率的电压转换。
三
MOSFET选型与使用注意事项
1、驱动电路:为保证驱动电路能为栅极提供足够负的Vgs(通常需要 ≤-4.5V或-10V,视具体型号和所需Rds(on)而定),以使其完全导通,降低损耗。常用一个NPN三极管(如MMBT3904)构成下拉开关,由MCU的3.3V/5V GPIO控制。
2、栅极电阻抗干扰:在驱动路径上串联一个小电阻(如10-100Ω),可以抑制栅极振荡,减少EMI。
3、栅极保护:务必在栅-源极间并联一个电阻(如10kΩ),确保MCU未输出时MOS管处于确定关断状态,防止意外导通
4、体二极管:P-MOS内部存在一个从源极(S)指向漏极(D)的寄生二极管。在作为开关时,这个二极管的方向通常是反向的。但在感性负载(如电机、继电器)关断时,需要考虑续流路径,这个二极管有时会起到续流作用,但可能需要额外的肖特基二极管来分担。
5、功耗与散热:SOT-23封装散热能力有限,需根据公式P_loss = I²* Rds(on)计算导通损耗,确保在安全温度范围内工作。
上海雷卯电子将持续深耕静电浪涌防护领域,迭代优化防护器件的性能与封装,为温度传感器的稳定运行保驾护航。工程技术人员在设计过程中,应充分结合传感器类型、电源参数与接口特性,选用适配的防护方案,从源头规避故障风险,提升系统整体可靠性。
2026-01-30 11:43:26
目录 返回
首页
