强茂(PANJIT)PJA3471、美微科(MCC)SI01P10国产化替代LMTL1P10

作者:chy123|分类:财富资讯

上海雷卯生产的PMOSLMTL1P10可以替代pin to pin强茂(PANJIT)的PJA3471和美微科(MCC)的SI01P10。已经有很多客户选用LMTL1P10替代,客户可以获得更好的价格和更快的交期。特别是在一些受空间收下限的小电子设备很受青睐。

三款MOS参数对比如下:

Parameter(参数)

强茂

PANJIT

美微科

MCC

雷卯

Leiditech

PartNumber

PJA3471

SI01P10

LMTL1P10

Package

SOT-23

SOT-23

SOT-23

FET type N or P

P

P

P

Drain−to−Source Voltage Vdss

-100

-100

-100

Drain Current 25℃Id(A)

-0.9

-1

-0.9

Power Dissipation Pd(W)

1.25

0.77

1.0

Gate−to−Source Voltage VGS(V)

20

20

20

Gate Threshold Voltage VGS(th)

-1~-2.5

-1~-3.0

-1~-2.5

Rds(on)(10V) (mΩ)Typ

500

560

520

Rds(on)(10V)(mΩ)Max

650

800

650

Rds(on)(4.5V)(mΩ)Typ

560

620

560

Rds(on)(4.5V)(mΩ)Max

700

1000

700

Total Gate Charge (Qg)

8

7.8

4.5

Turn−On Delay Time td(on)

3.7

6.1

13.6

Turn−Off Delay Time td(off)

21

12

34

Input Capacitance Ciss(PF)

448

342

553

Thermal Resistance Junction-Ambient RθJA (℃/W)

100

~

125

雷卯LMTL1P10是一款高性价比、通用性强的P沟道MOSFET。其100V耐压和SOT-23小封装的组合,使其在需要安全、紧凑地控制电源通断的各种场景中成为优选方案,尤其适合于消费电子、办公设备、汽车电子工业控制领域的电源管理设计。

LMTL1P10特性

VDS = -100VID=-0.9 A

RDS(ON), VGS@-10V, ID@-0.8A<650mΩ 

RDS(ON), VGS@-4.5V,ID@-0.4A<700mΩ

增强型沟槽工艺

SOT-23 —体积小巧(约3mm x 3mm),节省电路板空间,适合高密度贴装。

LMTL1P10应用场景

核心应用场景:高端电源开关/负载开关

高端电源开关/负载开关将MOSFET串联在电源(Vcc)与负载之间,使用MCU GPIO通过简单电路(如一个NPN三极管)或一个小型N-MOS来控制其栅极电平,实现“一键断电”。

优点:可彻底切断外围模块(如传感器通信模块、显示屏背光)的供电,实现零待机功耗,是电池供电设备节能的关键设计。

适用设备:智能家居设备、便携式仪器、物联网终端。

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汽车电子辅助电路

用于车载设备(导航/记录仪)的电源切换,100V耐压可应对汽车电源瞬态电压,SOT-23封装满足小型化需求。

办公设备与工业控制

利用其100V耐压和近1A的电流能力,非常适合驱动打印机、扫描仪、自动化设备中的小型直流电机、散热风扇、电磁阀、指示灯等负载。

PWM控制与简易DC-DC电路

由于其开关速度较快且导通电阻低,可用于低频PWM调光、调速等场景。也可作为简易开关电源线性稳压器中的功率开关管,适用于非隔离、小功率的电压转换。

MOSFET选型与使用注意事项

1、驱动电路为保证驱动电路能为栅极提供足够负的Vgs(通常需要 ≤-4.5V或-10V,视具体型号和所需Rds(on)而定),以使其完全导通,降低损耗。常用一个NPN三极管(如MMBT3904)构成下拉开关,由MCU的3.3V/5V GPIO控制。

2、栅极电阻抗干扰:在驱动路径上串联一个小电阻(如10-100Ω),可以抑制栅极振荡,减少EMI。

3、栅极保护:务必在栅-源极间并联一个电阻(如10kΩ),确保MCU未输出时MOS管处于确定关断状态,防止意外导通

4、体二极管:P-MOS内部存在一个从源极(S)指向漏极(D)的寄生二极管。在作为开关时,这个二极管的方向通常是反向的。但在感性负载(如电机、继电器)关断时,需要考虑续流路径,这个二极管有时会起到续流作用,但可能需要额外的肖特基二极管来分担。

5、功耗与散热:SOT-23封装散热能力有限,需根据公式P_loss = I²* Rds(on)计算导通损耗,确保在安全温度范围内工作。

上海雷卯电子将持续深耕静电浪涌防护领域,迭代优化防护器件的性能与封装,为温度传感器的稳定运行保驾护航。工程技术人员在设计过程中,应充分结合传感器类型、电源参数与接口特性,选用适配的防护方案,从源头规避故障风险,提升系统整体可靠性。

30 01月

2026-01-30 11:43:26

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